Verarbeitungsherausforderungen von Schlüsselkomponenten von Halbleitern der dritten -Generation
Als Kernkomponenten von Halbleitern der dritten{0}}Generation werden Siliziumkarbid-Waferschalen und -Chucks aufgrund ihrer Korrosionsbeständigkeit und hohen Wärmeleitfähigkeit häufig in Hochtemperatur- und Hochfrequenzgeräten eingesetzt. Allerdings hat Siliziumkarbid eine Härte von bis zu HV2.002, und bei der Verarbeitung können Probleme wie Absplitterungen, mangelhafte Ebenheit und Oberflächenbeschaffenheit auftreten. Herkömmliche Prozesse sind ineffizient und kostspielig, was zu einem Problem geworden ist, das die Entwicklung der Branche einschränkt.
Fallfokus: Siliziumkarbid-Wafer-Tray-Chuck-Verarbeitung
Produktparameter verarbeiten
Material: Siliziumkarbid (SiC)
Merkmale: Präzisionsschleifen von Hohlraum- und Rillenstrukturen
Größe: Durchmesser 380 mm × Dicke 5 mm
Härte: HV2.002 (nahe der Härte von natürlichem Diamant)
Hintergrund- und Schwierigkeitsanalyse
1.Branchennachfrage : Angesichts des Trends zur Miniaturisierung und Hochleistung von Halbleitergeräten müssen Siliziumkarbidkomponenten sowohl komplexe Strukturen als auch eine ultra{0}}hohe Präzision aufweisen.
2.Verarbeitungsschwierigkeiten :
Hohes Absplitterungsrisiko: Das Material ist spröde und eine unsachgemäße Steuerung der Schnittkraft kann leicht zu Kantenfehlern führen.
Schneller Werkzeugverschleiß: Die Lebensdauer herkömmlicher Werkzeuge beträgt weniger als 159 Minuten und häufige Werkzeugwechsel beeinträchtigen die Produktionskapazität.
Geringe Effizienz: Die Verarbeitung einzelner{0}}Stücke dauert bis zu 888 Minuten, was den Anforderungen einer Massenproduktion nur schwer gerecht werden kann.
BISHENLösungen: Ultraschall-Präzisionsbearbeitungstechnologie untergräbt traditionelle Prozesse
BISHEN Solutions zielt auf die Schwachstellen der Siliziumkarbidverarbeitung ab und schlägt eine innovative Technologiekombination vor:
Ultraschall-Präzisionsgravur und -fräsen: Reduzieren Sie den Schnittwiderstand und die Spannungskonzentration im Material durch hochfrequente Vibrationen und unterdrücken Sie Absplitterungen von der Quelle.
Integrierter PKD-Mikro-blattfräser: Verwenden Sie superharte Werkzeuge aus polykristallinem Diamant (PKD) mit einer Klingengenauigkeit im Mikrometerbereich unter Berücksichtigung von Verschleißfestigkeit und Schnittstabilität.
Intelligente Optimierung von Prozessparametern: Passen Sie Ultraschallamplitude und Vorschubgeschwindigkeit an, um ein Gleichgewicht zwischen Materialabtragsrate und Oberflächenqualität zu erreichen.
„Doppelter Durchbruch in Effizienz und Kosten“.
Durch den Einsatz von BISHEN-Lösungen wurde die Verarbeitung von Siliziumkarbidteilen deutlich verbessert:
Die Hackquote ist um 60 % gesunken: Die Ultraschalltechnologie reduziert die Schnittkraft um 45 % und die Kantenintegrität erreicht den Oberflächenstandard Ra0,2 μm.
Effizienz um 48 % gestiegen: Die Bearbeitungszeit für einzelne Stücke wurde von 888 Minuten auf 462 Minuten reduziert und die Produktionskapazität verdoppelt.
Standzeit verdoppelt: Die Arbeitszeit des PKD-Werkzeugs wurde von 159 Minuten auf 317 Minuten verlängert und die direkten Kosten wurden um 35 % gesenkt.
Über BISHEN
BISHEN(Bishen Technology) konzentriert sich seit mehr als zehn Jahren auf die Präzisionsbearbeitung und hat es sich zur Aufgabe gemacht, hoch{0}anspruchsvolle Materialbearbeitungslösungen für die Halbleiter-, Optik-, Luft- und Raumfahrtindustrie und andere Branchen bereitzustellen. Das Unternehmen setzt auf ultraschallunterstützte Bearbeitungstechnologie als Kern, kombiniert mit selbst entwickelten Werkzeugen und intelligenten Prozesssystemen, um Kunden dabei zu helfen, Effizienzengpässe zu überwinden und eine inländische Substitution der High-End-Fertigung zu erreichen.
